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Introdução à Nanotecnologia (ELE1051)

graduação Unidade: DEE


Descrição | Objetivos | Ementa | Cursos | Pré-requisitos | Professores | Bibliografia
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Descrição
Nanotecnologia é a mais nova área de concentração do Programa de Pós-Graduação do Depto. de Engenharia Elétrica da PUC-Rio. Essencialmente multidisciplinar, a nanotecnologia é a convergência de linhas diversas do pensamento científico, o que traz a expectativa de novos e interessantes desenvolvimentos.

A Nanotecnologia oferece uma gama de possibilidades para o desenvolvimento de dispositivos com desempenho superior aos existentes hoje e para a criação de componentes inéditos aplicados em diversas áreas. Um dos maiores desafios da Nanotecnologia e da Nanociência está no desenvolvimento de uma nova geração de circuitos eletrônicos e computadores cuja a atual tecnologia, CMOS, está próxima de seu limite físico.

Hoje, a Nanotecnologia se encontra num estágio semelhante ao da tecnologia de semicondutores, 50 anos atrás, quando surgia o transistor, precursor do avanço tecnológico e científico observado no século 21. Todavia, a ciência atualmente possui computadores, modelos e técnicas capazes de acelerar o desenvolvimento da Nanociência e à Nanotecnologia, levando a um surpreendente avanço científico e tecnológico nos próximos 5 anos.
 
Objetivos
1. Consolidar as pesquisas que têm sido realizadas no departamento.
2. Estender a atuação do DEE para uma nova área de inovação tecnológica e promover a sólida formação de profissionais especializados, aptos a realizar pesquisas e a atuar profissionalmente seja em empresas de grande porte com interesse em Nanotecnologia (Petrobrás, Vale do Rio Doce, entre outras), como em pequenas empresas que desenvolvem novos produtos nanotecnológicos.
3. Estimular a pesquisa multidisciplinar em Nanotecnologia do CTC da PUC-Rio, seja no ensino, na orientação conjunta, na criação de infra-estrutura laboratorial, produção científica e proposição de projetos patrocinados por órgãos de fomento à pesquisa.
4. Promover o empreendedorismo nessa área de modo a suprir demandas de nichos específicos do setor produtivo interessados em soluções que dependem da Nanotecnologia.
5. Estabelecer bases para, futuramente, iniciar-se uma discussão sobre o a Engenharia em Nanotecnologia.
6. Estreitar e intensificar a colaboração com outras instituições, nacionais e internacionais, atuantes na área de Nanotecnologia.
ELE1051
 
Ementa
Não disponível.
 
Cursos
  • Engenharia Elétrica

  •  
    Pré-requisitos
    Nenhum pré-requisito encontrado.
     
    Professores
    Não disponível.
     
    Bibliografia
    Referências para as aulas 2 e 3
    1) Materiais e Dispositivos Eletrônicos, Sérgio Rezende, Editora Livraria da Física, Segunda edição, Capítulos 1 a 5.
    2) http://omnis.if.ufrj.br/~pires/Crescimento.htm
    3) Charles W. Tu, Electronic materials: A retrospective and look forward, Journal of Vaccum Science and Technology A, 21 (5), S160-S166 (2003).
    4) Publicações das quais o LabSem/PUC-Rio participa :

    • InAs Quantum Dots Grown on InAlGaAs Lattice Matched to InP, M. Borgström, M.P. Pires, T. Bryllert, S. Landi, W. Seifert e P.L. Souza
      Journal of Crystal Growth 252, 481-485 (2003).
    • InAs quantum dots over InGaAs for infrared photodetectors, M. P. Pires, S. M. Landi, C. V.-B. Tribuzy, E. Marega Jr. E P. L. Souza, Journal of Crystal Growth 272, 192-197 (2004).
    • InAs/InGaAs/InP structures for quantum dot infrared photodetectors grown by MOVPE, S. M. Landi, M. P. Pires, C. V.-B. Tribuzy, P. L. Souza, E. Marega Jr., A. G. Silva e P. S. S. Guimarães, Physica Status Solidi C 2, 3171-3174 (2005).
    • Atomic force nanolithography of InP for site control growth of InAs nanostructures, H. Fonseca Filho, R. Prioli, M. P. Pires, A. J. Lopes, P. L. Souza e F. Ponce, Applied Physics Letters 90 013117-1 013117-0 (2007).
    • Influence of stoichiometry on the luminescent properties of InAs quantum dots grown on a InxGa1-xAs/InP heterostructure, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S.M. Landi, A.S. Lopes, P.L. Souza, J. M. Villas-Boas and N. Studart, Physica E 32 (1-2), 85-88 (2006).
    5) Electronic Materials Vol. 6, Quantum Semiconductor Devices and Technologies, Cap. 4 The use of MOVPE to produce quantum structured semiconductors, Werner Seifert, p. 139.

    Referências para a aula 4
    1) New physics and devices based on self-assembled semiconductor quantum dots. D. J. Mowbray and M. S. Skolnick, Journal of Physics D:Applied Physics 38, 2059 (2005).
    2) Quantum Dots and Nanowires Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Optoelectronic Device Applications, H. H. Tan, K. Sears, S. Mokkapati, L. Fu, Yong Kim, P. McGowan, M. Buda and C. Jagadashi, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 12 (6), 1242 (2006).
    3) Semiconductor Quantum Dot Nanostructures: Their Application in a New Class of Infrared Photodetectors, E. Towe e D. Pan, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6 (3), 1242 (2000).
     
    Avaliação
    Não disponível.
     
    Carga Horária
    Não disponível.
     
    Outras Informações
    Veja o site de Nanotecnologia em http://nanotech.ica.ele.puc-rio.br.
     
    Ementa Detalhada
    Não disponível.
     
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